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    聚焦離子束電鏡究竟有何不同?

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      隨著納米科技的發展,納米尺度制造業發展迅速,而納米加工就是納米制造業的核心部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束(FIB)技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工,配合聚焦離子束電鏡等高倍數電子顯微鏡實時觀察,成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。
     
      典型的聚焦離子束電鏡包括液態金屬離子源及離子引出極、預聚焦極、聚焦極所用的高壓電源、電對中、消像散電子透鏡、掃描線圈、二次粒子檢測器、可移動的樣品基座、真空系統、抗振動和磁場的裝置、電路控制板和電腦等硬件設備。外加電場于液態金屬離子源,可使液態鎵形成細小頂端,再加上負電場牽引頂端的鎵,而導出鎵離子束。在一般工作電壓下,以電透鏡聚焦,經過可變孔徑光闌,決定離子束的大小,再經過二次聚焦以很小的束斑轟擊樣品表面,利用物理碰撞來達到切割的目的。
     
      聚焦離子束電鏡主要是利用二次電子信號成像來觀察樣品的表面形態,可用于顯微結構的分析和納米尺寸的研究。電鏡具有景深大,圖象富有立體感等特點,其景深較光學顯微鏡大幾百倍,比透射電鏡大幾十倍,且分辨率較高,可放大十幾倍到幾十萬倍。與能譜儀(EDX)組合可廣泛用于材料、冶金、礦物、生物學等領域。

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