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    FIB雙束掃描電鏡是什么?他又有那些用途?

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      隨著半導體電子器件及集成電路技術的飛速發展,器件及電路結構越來越復雜,這對微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB雙束掃描電鏡所具備的強大的精細加工和微觀分析功能,使其廣泛應用于微電子設計和制造領域。
     
      FIB雙束掃描電鏡是指同時具有聚焦離子束(FocusedIonBeam,FIB)和掃描電子顯微鏡(ScanningElectronMicroscope,SEM)功能的儀器。它可以實現SEM實時觀測FIB微加工過程的功能,把電子束高空間分辨率和離子束精細加工的優勢集于一身。其中,FIB是將液態金屬離子源產生的離子束經過加速,再聚焦于樣品表面產生二次電子信號形成電子像,或強電流離子束對樣品表面刻蝕,進行微納形貌加工,通常是結合物理濺射和化學氣體反應,有選擇性的刻蝕或者沉積金屬和絕緣層。
     
      FIB雙束掃描電鏡截面分析,運用離子束刻蝕或氣體增強刻蝕,FIB技術可以精確地在器件的特定微區進行截面觀測,形成高分辨的清晰圖像,并且對所加工的材料沒有限制,同時可以邊刻蝕邊利用SEM實時觀察樣品,截面分析是FIB最常見的應用。這種刻蝕斷面定位精度*,在整個制樣過程中樣品所受應力很小,制作的斷面因此也具有很好的完整性。這種應用在微電子領域具體運用場合主要有:定點觀測芯片的內部結構;失效樣品分析燒毀的具體位置并定位至外延層;分析光發射定位熱點的截面結構缺陷。如:為FIB制作并觀測的芯片斷面圖,利用SEM實時觀測FIB加工過程的功能所觀察到的介質層空洞缺陷圖像。

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